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比表面积计算公式(泡沫镍比表面积的计算方法)

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专利名称:泡沫镍比表面积的计算方法泡沫镍比表面积的计算方法技术领域-本发明涉及多孔材料比表面积的计算,尤其涉及泡沫镍比表面积的具体计算方法。 背景技术:通孔泡沫金属是一类性能优异的多孔材料,其用途广泛涉及流体分离过滤、流体分布、消音降噪、吸...

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硫化锂(合成硫化锂的详解)

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本发明属于锂电池材料领域,具体涉及一种合成硫化锂的方法。 背景技术: 固态电解质通常分为聚合物,氧化物和硫化物三大类。使用聚合物电解质的固态电池在制备工艺上接近于现有锂离子电池,但聚合物电解质室温电导率低。氧化物电解质具有良好的热稳定性、化...

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气体收集(气体收集系统解读)

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气体收集系统的制作方法【技术领域】[0001 ]本发明涉及有害气体处理领域,具体而言,涉及一种SF6气体收集系统。【背景技术】[0002]随着中国城市化进程的不断推进,城市高层建筑林立,人口愈发密集,用电量、变压器数量也在不断增加。传统大容...

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线切割钼丝(线切割钼丝的生产详解)

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本发明涉及金属原料技术领域,涉及线切割钼丝,具体涉及到一种线切割钼丝的生产方法。 背景技术: 钼丝广泛用于电火花线切割机床用电极丝,可切割各种金属材料,硬质合金,磁性材料。钼丝以廉价、韧性好、强度高、导电性好、延伸率低等特点被做为快走丝和中...

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薄膜晶体管(薄膜晶体管及薄膜晶体管)

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本发明涉及液晶显示器技术领域,尤其涉及薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管。 背景技术: 氧化物半导体由于电子迁移率高,漏电流低,制备温度低等特点,引起了广泛的关注。传统的顶栅自对准结构在完成源漏极电极后,制作钝化层和有机绝缘膜需要使用两道模具...

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