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超结mos(超结MOSFET结构)

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本实用新型公开了一种场效晶体管,本实用新型尤其是一种超结MOSFET结构。 背景技术: VDMOSFET(高压功率MOSFET)可以通过减薄漏端漂移区的厚度来减小导通电阻,然而,减薄漏端漂移区的厚度就会降低器件的击穿电压,因此在VDMOSF...

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