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薄膜晶体管(薄膜晶体管及薄膜晶体管)

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本发明涉及液晶显示器技术领域,尤其涉及薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管。 背景技术: 氧化物半导体由于电子迁移率高,漏电流低,制备温度低等特点,引起了广泛的关注。传统的顶栅自对准结构在完成源漏极电极后,制作钝化层和有机绝缘膜需要使用两道模具...

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